长鑫科技：拟 241 亿元和 108 亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目

长鑫科技于9月28日晚间对外宣布，计划动用部分超募资金投入新项目建设。

该公司拟投入130亿元超募资金，用于建设技术研发项目；同时，通过增资及借款形式，向其全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供50亿元超募资金，用于建设存储器晶圆后道测试基地二期项目。

以下是项目详细信息：

• 技术研发项目：重点聚焦技术研发，总投资额为241亿元，建设周期为30个月。
• 长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目：规划建造一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试及模组组装服务，总投资额为108亿元，建设周期为37个月。

长鑫科技指出，测试是DRAM制造中不可或缺的一环。由于测试设备具有专用性，随着公司产能持续扩大和产品种类增加，外部封测厂可能面临测试产能不足及新增投资配套短缺的问题。为防范测试产能成为公司发展的瓶颈，并确保供应链安全，公司急需加大自建测试产能的投入。如需了解更多详情，可访问开元网页版入口。

此外，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，公司能更灵活地调配测试产能，从而降低DRAM芯片测试成本，提升运营效率与测试技术，进一步完善IDM模式，增强整体竞争力。